Экзамен по фоэ

Вопросы к экзамену
по курсу

«Физические
основы электроника»

(для специальностей
ЭМ и ЭЛА)

1. Этапы развития
электроники.

2. Полупроводники
и полупроводниковые приборы. Общие
сведения.

3. Физические
процессы в полупроводнике.

4. Концентрация
основных и неосновных носителей в
собственных полупроводниках.

5. Метод расчета
концентраций носителей заряда.
Распределения Ферми-Дирака

и Максвелла-Больцмана.

6. Условие
электрической нейтральности. Концентрация
основных и неосновных носителей в
примесных полупроводниках.

7. Неравновесная
и избыточная концентрация носителей
заряда.

8. Плотность тока
в полупроводнике.

9. Электрические
переходы. Структура и образование
р-п-перехода.

10. Энергетическая
диаграмма p-n-перехода в состоянии
равновесия. Формула для контактной
разности потенциалов.

11. Потенциальный
барьер, толщина и энергетические
диаграммы

р-п-перехода.

12. Вольт-амперная
характеристика идеализированного
р-п-перехода.

13.
Вольт-амперная характеристика реального
р-п-перехода.

14. Лавинный и
туннельный пробой р-п-перехода.

15. Поверхностный
пробой (ток утечки) и тепловой пробой
р-п-перехода.

16. Параметры и
модель р-п-перехода в динамическом
режиме.

17. Барьерная емкость
р-п-перехода.

18. Диффузная емкость
р-п-перехода.

19. Переходные
процессы в p-n-переходе при скачкообразном
изменении полярности напряжения.

20. Контакты межу
полупроводниками одного типа проводимости.
Омические контакты.

21. Контакт между
собственным и примесным полупроводником.
PIN-детекторы.

22. Контакты между
полупроводниками разных типов
проводимости.

23. Контакт
металл-полупроводник. Гетеропереходы.

24. Классификация
диодов. Выпрямительные диоды.

25. Стабилитроны и
стабисторы. Варикапы.

26. Универсальные
и импульсные диоды.

27. Туннельные и
обращенные диоды.

28. Светодиоды.
Фотодиоды.

29. Биполярные
транзисторы. Общие сведения, структура,
режимы работы, схемы включения.

30. Физические
процессы в бездрейфовом транзисторе.

31. Влияние режимов
работы биполярного транзистора на токи
электродов в бездрейфовом транзисторе.

32. Электрическая
модель биполярного транзистора в
статическом режиме (модель Эберса-Молла)

33. Статические
характеристики биполярных транзисторов
для схемы с общей базой.

34. Статические
характеристики биполярных транзисторов
для схемы с общим эмиттером.

35. Влияние температуры
на статические характеристики биполярного
транзистора.

36. Дифференциальные
параметры биполярного транзистора в
статическом режиме.

37. Графоаналитическое
рассмотрение биполярного транзистора
в усилительном каскаде при большом
сигнале.

38. Модели биполярного
транзистора.

39. Работа биполярного
транзистора в ключевом режиме.

40. Повышение
быстродействия ключевых схем. Транзистор
Шоттки.

41. Ненасыщенные
ключи.

42. Полевые
транзисторы. Общие сведения.

4З. Полевой транзистор
с управляющим р-п-переходом. Устройство
и принцип действия.

44. МДП-транзистор.
Устройство и принцип действия.

45. Статические
характеристики полевого транзистора
с изолированным затвором.

46. Параметры
МДП-транзисторов.

47. Тиристоры.
Принцип действия и область применения.

48. Вольт-амперная
характеристика динистора.

49. Тринистор и
симистор.

50. МНОП транзисторы.
Транзисторы с плавающим затвором.

51. IGBT транзисторы.

52. Принцип
электростатического управления
электронным током. Вакуумный диод.

53. Развитие
электронных ламп, их классификация и
особенности.

54. Характеристики
электронных ламп. Диод и триод

55. Особенности
тетродов и пентодов. Общие сведения,
область применения.

56. Электронно-лучевые
приборы. Классификация. Основные типы
ЭЛТ.

57. Электросветовые
приборы.

58. Оптоэлектронные
индикаторы. Классификация. Активные и
пассивные индикаторы.

59. Фотоэлектрические
приборы. Электровакуумные и полупроводниковые
фотоэлектрические приборы.

60. Лавинно-пролетные
диоды. Общие сведения, параметры и
область применения.

61. Диоды Ганна.
Общие сведения, параметры и область
применения.

62. Функциональная
электроника. Элементы функциональной
электроники на поверхностных акустических
волнах. Общие сведения и принцип действия.

63. Элементы
функциональной электроники на приборах
с зарядовой связью. Общие сведения и
принцип действия.

64. Эффект Холла.
Приборы на основе эффекта Холла.

65. Интегральные
микросхемы. Общие сведения. Классификация.

66. Аналоговые
интегральные схемы. Операционные
усилители.

67. Цифровые
интегральные схемы. Различные технологии
ЦИС.

68. Гибридные
интегральные схемы. Технология
изготовления элементов.

69. Микропроцессоры.
Основные сведения. Перспективы развития.

70. Транзисторы.
Классификация. Технология изготовления.

71. Основные свойства
полупроводников. Зонная теория.

72. Влияние температуры
на свойства полупроводника и р-п перехода.

73. Подвижность
носителей заряда в полупроводниках.

74. Развитие
технологии изготовления полупроводниковых
приборов.

75. Базовые элементы
логических микросхем разных типов.

76. Устройства
отображения информации на жидких
кристаллах

77. Газоразрядные
индикаторы. Плазменные дисплеи.

1.1.Формула Планка Собственные моды электромагнитного поля в кубической полости. Их волновые ф-ции

1.2.Условияя Борна-Кармана и теорема Блоха в модели Кронига-Пенни Блоховские ф-ции.

2.1.Формула Планка. Изображение мод точками в пространстве волновых векторов. Распределение мод по частотам.

2.2.Вывод трансцендентного уравнения для энергий стационарных состояний в модели Кронига-Пенни приближенное решение его в случае сильной связи.

3.1.Формула Планка. Связь спектральной объемной плотности энергии и спектральной интенсивности равновесного излучения в полости.

3.2.Модель Кронига-Пенни с большим числом электронов. Уровень Ферми, валентная зона и зона проводимости. Электроны и дырки.

4.1.Формула Планка. Теорема о равномерном распределении энергии по степеням свободы и вывод закона Рэлея Джинса.

4.2.Применение модели электронного газа в ящике для расчета плотностей уровней электронных и дырочных состояний на дне зоны проводимости и потолке валентной зоны.

5.1.Формула Планка. Квантование энергий мод. Среднее значение энергии классического квантового осциллятора в термостате.

5.2.Система свободных электронов металле. Ф-ция энергетической плотности одноэлектронных состояний. Формула связи энергии Ферми с концентрацией свободных электронов при нулевой температуре.

6.1.Вывод законов Стефана Больцмана и Вина из Формулы Планка

6.2.Термоэлектронная эмиссия. Работа выхода. Формула Ричардсона-Дэшмана.

7.1.Открытие электрона Дж.Дж Томпсоном. Катодно-лучевая трубка. Измерение скорости и отношения заряда к массе для электрона в пучке

7.2.Влияние Внешнего электрического поля на термоэлектронную эмиссию.

8.1.Измерние зависимости массы электрона от скорости Кауфманом для бета-лучей. Уравнение Минковского.

8.2.Элементарная теория дрейфа электронов и дырок в полупроводнике. Коэффициенты подвижностей электронов и дырок.

9.1.Измерение длинны волны электрона и сравнение ее с Дебройлевскогой длинной волны в эксперементе Дэвиссона-Джермера. Отражение электронного пучка от кристаллографических плоскостей и условие Вульфа-Брэггов.

9.2.Элементарная теория диффузии электронов и дырок в полупроводнике. Коэффициенты диффузии электронов и дырок.

10.1 Корпускулярно волновой дуализм фотонов. Эксперименты свидетельствующие о корпускулярной природе фотонов. Фотоэффект. Эффект Комптона.

10.2. Уравнение локальных балансов электронов и дырок в полупроводнике с учетом дрейфа и диффузии электронов и дырок и генерации и рекомбинации электронно-дырочных пар.

11.1.Основные этапы развития представления о природе света в XVII-XX вв. Корпускулярная теория. Волновая теория. Квантовая теория. Декарт. Ньютон. Гюйгенс. Юнг. Френель. Максвелл, Лоренц, Планк, Эйнштейн.

11.2.Энергия сродства акцепторной примеси спектр одноэлектронных состояний акцепторного полупроводника. Концентрация дырок и химический потенциад в равновесном акцепторном полупроводнике.

12.1.Формула Планка. Вывод из нее закона Стефана Больцмана и Вина.

12.2.ПН переход с приложенным внешним напряжением. Расчет вольтамперной характеристики.

13.1 Распределение Бозе-Эйнштейна. Элементарные и грубые ячейки. Применение метода неопределенных множителей Лагранжа. Нахождение множителей Лагранжа.

13.2.Теория транзистора с ПНП переходом. Токи Базы, эмиттера и коллектора. Использование транзистора как усилителя тока и как усилителя мощности.

14.1.Теория Бора атома водорода. Постулаты Бора. Боровское условие квантования и вычисление энергий стационарных состояний атома. Формула Бальмера. Сериальная формула

14.2.Применение модели электронного газа в ящике для расчета плотности уровней электронных и дырочных состояний на дне зоны проводимости и потолке валентной зоны

15.1.Открытие электрона Дж.Дж.Томпсоном. Измерение скорости электрона в катодных лучах отношение заряда электрона к массе.

15.2.Энергия ионизации донорной примеси. Спектр одноэлектронных состояний донорного полупроводника. Концентрация электронов и химический потенциал в равновесном полупроводнике.

16.1Соотношение неопределенностей. Копенгагенская интерпретация квантовой механики. Скрытые параметры. Теория ДЖ. Фон Неймона.

16.2.Равновесные концентрации электронов и дырок и химический потенциал в чистом полупроводнике.

17.1.Решение уравнение Шредингера для электрона в кубическом ящике с граничными условиями Борна-Кармана. Собственные ф-ции и собственные значения энергий стационарных состояний.

17.2.Энергия сродства акцепторной примеси. Спектр одноэлектронных состояний акцепторного полупроводника. Концентрация дырок и химический потенциал в равновесном акцепторном полупроводнике.

18.1.Спиновый момент импульса электрона. Эксперемент Штерна-Герлаха Принцип запрета Паули и заполнение электронами атомных электронных оболочек.

18.2.Уравнение локальных балансов электронов и дырок в полупроводнике с учетом дрейфа и диффузии электронов и дырок и генерации и рекомбинации электронно-дырочных пар.

19.1.ЗадаЧа о двойной потенциальной яме. Вывод и приближенное решение трансцендентного уравнения для энергии. Расщепление уровней отдельной ямы на пары уровней.

19.2.Электроемкость ПН перехода. Формула для емкости . Зависимость границ обедненного слоя Шокли от приложенного внешнего напряжения.

20.1 Решение одномерного уравнения Шредингера для свободного электрона. Вывод формул для уровней энергии и волновых ф-ций. Нормировка на дельта ф-цию Дирака. Волна де Бройля.

20.2. Равновесные концентрации электронов и дырок и химический потенциал в чистом полупроводнике.

21.1.Применение формулы Больцмана и метода неопределенных множителей Лагранжа к электронному газу в кубическом ящике для вывода распределения Ферми –Дирака.

21.2.ПН переход с приложенным внешним напряжением. Расчет вольтамперной характеристики.

22.1.Решение Уравнения Шредингера для одномерной прямоугольной потенциальной ямы с бесконечными стенками. Вывод формул для уровней энергии и нормированных волновых ф-ций.

22.2.Распределение концентраций электронов и дырок в равновесном ПН переходе. Вывод формулы для контактной разности потенциалов.

23.2.Распределение Максвелла-Больцмана. Вывод Больцмана. Ячейки в пространстве скорости отдельной молекулы. Числа заполнения . Использование метода неопределенных множителей Лагранжа. Формула Больцмана для энтропии.

23.2.Дырка в модели Кронига-Пенни .Групповая скоростью Равенство нулю электрического тока от полностью заполненной зоны. Эффективная масса дырки.

24.1.Решение уравнения Шредингера для электрона в кубическом ящике с граничными условиями Борна-Кармана. Собственные ф-ции и собственные значения энергий стационарных состояний.

24.2.Уравнение локальных балансов электронов и дырок в полупроводнике с учетом дрейфа диффузии электронов и дырок и генерации и рекомбинации электронно –дырочных пар.

25.1.Задача об одномерном прямоугольном потенциальном барьере. Формула для туннельной прозрачности барьера.

25.2.Электрон в модели Кронига Пенни. Волновой пакет. Групповая скорость. Уравнение второго закона ньютона Эввектиная масса электрона.

26.1.Задача об одномерной прямоугольной яме с бесконечными стенками. Решение уравнения Шредингера с применением условия квантования Зоммерфельда.

26.2.Теория транзистора с ПНП переходом. Токи базы, эмиттера и коллектора. Использование транзистора как усилителя тока и как усилителя мощности.

27.1.Вероятность состояния электронного газа и применение формулы Больцмана и метода неопределенных множителей Лагранжа для вывода распределения Ферми-Дирака для равновесного электронного газа.

27.2.Распределение концентраций электронов и дырок в равновесном ПН переходе. Вывод формулы для контактной разности потенциалов.

28.1.Решение уравнения Шредингера для двойной прямоугольной одномерной ямы с бесконечными стенками. Гомополярная химическая связь и зоны в спектре одноэлектронных состояний в твердом теле.

28.2.Контактная разность потенциалов двух металлов.Электрохимический потенциал. Формулы связи с разностью работ выхода и разностью энергий Ферми.

29.1.Решения уравнения Шредингера для двойной прямоугольной ямы с бесконечными стенками вывод и приближенное решение трансцендентного уравнения для энергии стационарных состояний в случае высокого потенциального барьера

29.2.Система свободных электронов в металле. Распределение Ферми-Дирака. Расчет электронной теплоемкости металла при низких температурах

30.1 Решение уравнения Шредингера для электрона в кубическом ящике с граничными условиями Борна-Кармана. Собственные ф-ции и собственные значения энергий стационарных состояний

30.2.Энергия ионизации донорной примеси. Спектр одноэлектронных состояний донорного полупроводника. Концентрация электронов и химический потенциал в равновесном донорном полупроводнике.

Физические основы электроники

ВНИМАНИЕ!

В связи с карантином и переходом на дистанционное обучение студентам группы ПЭ-18з необходимо выполнить ПР3, ЛБ4 и ПР4

Для выполнения лабораторных работ используется программа MicroCap10.

Практические задания могут быть присланы на проверку в виде сканов рукописного решения.

Оформленное РПЗ должно быть сдано на проверку не позднее, чем 14.04.2020

Оформленные отчеты и РПЗ присылать на проверку либо в личные сообщения Вконтакте, либо

на e-mail rasskazadaria@mail.ru

Студентам группы ПЭ-18з для сдачи экзамена необходимо выполнить рекомендации, указанные в файле Вопросы к экзамену ПЭ-18з

Оформленный документ с ответами на экзаменационные вопросы должен быть прислан не позднее 23:59 17 апреля 2020 года либо на e-mail rasskazadaria@mail.ru, либо в личные сообщения в личные сообщения Вконтакте.

Практические работы

Практическая работа №3 pdf

Практическая работа №4 pdf

Лабораторные работы

Лабораторная работа №4 pdf Схемы.rar

Расчётно-графическая работа

Задание на РГР

Титульный лист для РГР

Теоретическая информация для выполнения РГР

Экзамен

Вопросы к экзамену

Вопросы к экзамену ПЭ-18з

Освоение образовательных программ основного общего образования завершается обязательной государственной итоговой аттестацией (далее – ГИА).

Формы проведения ГИА по образовательным программам основного общего образования – основной государственный экзамен (ОГЭ) и государственный выпускной экзамен (ГВЭ).

ОГЭ – это форма государственной итоговой аттестации по образовательным программам основного общего образования. При проведении ОГЭ используются контрольные измерительные материалы стандартизированной формы.

ГВЭ – форма ГИА в виде письменных и устных экзаменов с использованием текстов, тем, заданий, билетов.

ГИА в форме ОГЭ и (или) ГВЭ включает в себя четыре экзамена по следующим предметам: экзамены по русскому языку и математике (далее – обязательные учебные предметы), а также экзамены по выбору обучающегося, экстерна (далее вместе – участники ГИА) по двум учебным предметам из числа учебных предметов, названных в Порядке проведения ГИА по образовательным программам основного общего образования: физика, химия, биология, литература, география, история, обществознание, иностранные языки (английский, французский, немецкий и испанский языки), информатика и информационно-коммуникационные технологии (ИКТ).

Для участников ГИА с ограниченными возможностями здоровья, участников ГИА – детей-инвалидов и инвалидов по их желанию ГИА проводится только по обязательным учебным предметам.

Лицам, изучавшим родной язык из числа языков народов Российской Федерации и литературу народов Российской Федерации на родном языке из числа языков народов Российской Федерации при получении основного общего образования, предоставляется право выбрать экзамен по родному языку и/или родной литературе.

Утверждённое расписание на 2023 год.

Приказ Министерства просвещения Российской Федерации, Федеральной службы по надзору в сфере образования и науки от 16.11.2022 № 990/1144 «Об утверждении единого расписания и продолжительности проведения основного государственного экзамена по каждому учебному предмету, требований к использованию средств обучения и воспитания при его проведении в 2023 году». Зарегистрирован 14.12.2022 № 71519: 990-1144.pdf

Основной период

Резервные дни

26 июня (понедельник) — русский язык;
27 июня (вторник) — по всем учебным предметам (кроме русского языка и математики);
28 июня (среда) — математика;
29 июня (четверг) — по всем учебным предметам (кроме русского языка и математики);
30 июня (пятница) — по всем учебным предметам;
1 июля (суббота) — по всем учебным предметам;

Досрочный период

21 апреля (пятница) — математика;
24 апреля (понедельник) — русский язык;
27 апреля (четверг) — информатика и информационно-коммуникационные технологии (ИКТ), обществознание, химия, литература;
3 мая (среда) — история, биология, физика, география, иностранные языки (английский, французский, немецкий, испанский).

Резервные дни

10 мая (среда) — математика;
11 мая (четверг) — информатика и информационно-коммуникационные технологии (ИКТ), обществознание, химия, литература;
12 мая (пятница) — история, биология, физика, география, иностранные языки (английский, французский, немецкий, испанский);
15 мая (понедельник) — русский язык;
16 мая (вторник) — по всем учебным предметам;

Дополнительный период

4 сентября (понедельник) — математика;
7 сентября (четверг) — русский язык;
12 сентября (вторник) — история, биология, физика, география;
15 сентября (пятница) — обществознание, химия, информатика и информационно-коммуникационные технологии (ИКТ), литература, иностранные языки (английский, французский, немецкий, испанский).

ОГЭ по всем учебным предметам начинается в 10.00 по местному времени.

Продолжительность ОГЭ по математике, русскому языку, литературе составляет 3 часа 55 минут (235 минут); по физике, обществознанию, истории, химии — 3 часа (180 минут); по информатике и информационно-коммуникационным технологиям (ИКТ), географии, биология — 2 часа 30 минут (150 минут); иностранным языкам (английский, французский, немецкий, испанский) (кроме раздела «Говорение») — 2 часа (120 минут); по иностранным языкам (английский, французский, немецкий, испанский) (раздел «Говорение») — 15 минут.

Допускается использование участниками экзаменов следующих средств

по русскому языку — орфографический словарь, позволяющий устанавливать нормативное написание слов;

по математике — линейка, не содержащая справочной информации (далее — линейка), для построения чертежей и рисунков; справочные материалы, содержащие основные формулы курса математики образовательной программы основного общего образования;

по физике — линейка для построения графиков, оптических и электрических схем; непрограммируемый калькулятор, обеспечивающий выполнение арифметических вычислений (сложение, вычитание, умножение, деление, извлечение корня) и вычисление тригонометрических функций (sin, cos, tg, ctg, arcsin, arccos, arctg), а также не осуществляющий функций средства связи, хранилища базы данных и не имеющий доступ к сетям передачи данных (в том числе к информационно-телекоммуникационной сети «Интернет») (далее — непрограммируемый калькулятор); лабораторное оборудование для выполнения экспериментального задания по проведению измерения физических величин;

по химии — непрограммируемый калькулятор; лабораторное оборудование для проведения химических опытов, предусмотренных заданиями; Периодическая система химических элементов Д. И. Менделеева; таблица растворимости солей, кислот и оснований в воде; электрохимический ряд напряжений металлов;

по биологии — линейка для проведения измерений при выполнении заданий с рисунками; непрограммируемый калькулятор;

по литературе — орфографический словарь, позволяющий устанавливать нормативное написание слов и определять значения лексической единицы; полные тексты художественных произведений, а также сборники лирики;

по географии — линейка для измерения расстояний по топографической карте; непрограммируемый калькулятор; географические атласы для 7 — 9 классов для решения практических заданий;

по иностранным языкам — технические средства, обеспечивающие воспроизведение аудиозаписей, содержащихся на электронных носителях, для выполнения заданий раздела «Аудирование» КИМ ОГЭ; компьютерная техника, не имеющая доступ к информационно-телекоммуникационной сети «Интернет»; аудиогарнитура для выполнения заданий раздела «Говорение» КИМ ОГЭ;

по информатике и информационно-коммуникационным технологиям (ИКТ) — компьютерная техника, не имеющая доступ к информационно-телекоммуникационной сети «Интернет».

В день проведения ОГЭ на средствах обучения и воспитания не допускается делать пометки, относящиеся к содержанию заданий КИМ ОГЭ по учебным предметам.

После девятого класса российские школьники проходят аттестацию в рамках Основного государственного экзамена (ОГЭ). Минпросвещения совместно с Рособрнадзором уже утвердило проект расписания экзаменов на 2023 год. «Известия» объясняют, как выпускники девятых классов будут сдавать ОГЭ и как узнавать результаты экзаменов.

Как будет проходить ОГЭ в 2023 году

В рамках ОГЭ предполагается сдача экзаменов по четырем предметам, два из которых обязательны для всех — это русский язык и математика. Другие два предмета остаются на усмотрение ученика. Он должен определиться с выбором до 1 марта 2023 года и подать соответствующее заявление. После этого поменять выбранные предметы будет возможно лишь по уважительной причине, которая к тому же должна иметь документальное подтверждение. Например, в случае болезни ученика предоставляется справка из медицинской организации.

К экзаменам будут допущены ученики, окончившие девятый класс по общеобразовательным программам, в том числе и иностранцы. Сдать ОГЭ могут и учащиеся, находившиеся на домашнем обучении.

В 2023 году фундаментальных изменений в экзаменационных заданиях не предвидится и новые темы добавляться не будут. Возможны лишь отдельные корректировки, о которых педагогам и ученикам сообщат заранее.

Для подготовки к ОГЭ ученикам девятых классов рекомендуется использовать материалы на сайте Федерального института педагогических измерений (ФИПИ). Кроме того, разбор заданий публикуют многие образовательные порталы. Отдельно рекомендуется ознакомиться с правилами заполнения экзаменационных бланков, чтобы предотвратить возникновение технических ошибок.

Когда досрочный ОГЭ в 2023 году

Каждый год школьникам предоставляют возможность сдать ОГЭ досрочно. Эти экзамены проводятся на два-три месяца раньше базового расписания, и их результаты засчитываются точно так же, как и в основной период.

При этом для сдачи экзамена досрочно должны быть веские основания. Раньше всех ОГЭ проводят для:

• выпускников школ, техникумов, лицеев и других учебных учреждений прошлых лет;
• учащихся 11-х классов вечерних школ, которые заступают на военную службу;
• школьников, намеревающихся переехать на ПМЖ в другую страну;
• участников олимпиад и соревнований, даты которых совпадают с проведением экзаменов;
• школьников, которые в момент проведения основного этапа ЕГЭ находится в санаторных или прочих медицинских учреждениях;
• учащихся 11-х классов, которые находятся за пределами России и не могут вернуться в страну из-за сложных климатических условий.

Как правило, досрочную сдачу выбирают выпускники предыдущих лет, которые не смогли добиться нужного результата в первый раз.

В 2023 году даты досрочного ОГЭ выглядят следующим образом:

21 апреля (пятница) — математика;

24 апреля (понедельник) — русский язык;

27 апреля (четверг) — информатика и информационно-коммуникационные технологии (ИКТ), обществознание, химия, литература;

3 мая (среда) — история, биология, физика, география, иностранные языки (английский, французский, немецкий, испанский).

Резервные дни:

10 мая (среда) — математика;

11 мая (четверг) — информатика и информационно-коммуникационные технологии (ИКТ), обществознание, химия, литература;

12 мая (пятница) — история, биология, физика, география, иностранные языки (английский, французский, немецкий, испанский);

15 мая (понедельник) — русский язык;

16 мая (вторник) — по всем учебным предметам.

Даты проведения ОГЭ 2023 — расписание экзаменов

В основной период проведения экзамены сдает большая часть учащихся, у которых нет причин писать задания досрочно. Ограничить доступ к экзаменам могут неуспевающим, у которых среди годовых отметок есть хотя бы одна двойка. Остальные ученики в 2023 году будут сдавать экзамены в следующие даты:

24 мая (среда) — история, физика, биология;

30 мая (вторник) — обществознание, информатика и информационно-коммуникационные технологии (ИКТ), география, химия;

2 июня (пятница) — иностранные языки (английский, французский, немецкий, испанский);

3 июня (суббота) — иностранные языки (английский, французский, немецкий, испанский);

6 июня (вторник) — русский язык;

9 июня (пятница) — математика;

14 июня (среда) — литература, физика, информатика и информационно-коммуникационные технологии (ИКТ), география;

17 июня (суббота) — обществознание, биология, химия.

Резервные дни:

26 июня (понедельник) — русский язык;

27 июня (вторник) — по всем учебным предметам (кроме русского языка и математики);

28 июня (среда) — математика;

29 июня (четверг) — по всем учебным предметам (кроме русского языка и математики);

30 июня (пятница) — по всем учебным предметам;

1 июля (суббота) — по всем учебным предметам;

Экзамены по всем предметам начинаются в 10:00. При себе ученику разрешается иметь линейки, орфографический словарь, непрограммируемый калькулятор, таблицу Менделеева или таблицу растворимости для экзамена по химии. Запрещено приносить средства связи, фото- аудио- и видеоаппаратуру, носители данных, программируемые устройства и справочные материалы, не предусмотренные правилами. Недопустимо использование собственных черновиков. Все черновые материалы сдаются вместе с самой экзаменационной работой.

Кроме того, в аудиторию можно приносить ручку с чернилами черного цвета, воду и лекарства. Для сдачи экзамена необходим паспорт.

В ходе проведения экзамена участникам запрещено переговариваться между собой, самовольно менять рассадку, покидать аудиторию без сопровождающего лица, выносить с собой экзаменационные материалы, передавать предметы другим экзаменуемым.

Дополнительный период ОГЭ 2023

Если выпускник девятого класса не смог сдать экзамен по уважительной причине, он может сделать это в один из резервных дней. Пересдача предусмотрена в следующих случаях:

• плановая операция, приходящаяся на день экзамена. Необходимо предоставить справку из медучреждения;
• состояние здоровья ученика, препятствующее сдаче экзамена. Также заверяется справкой от врача;
• ухудшение самочувствия на экзамене;
• обстоятельства, не зависящие от участника экзамена, к примеру, попадание в ДТП;
• смерть или похороны близкого родственника;
• чрезвычайное происшествие в пункте проведения экзамена.

Дополнительные резервные дни в 2023 году назначены на следующие даты:

4 сентября (понедельник) — математика;

7 сентября (четверг) — русский язык;

12 сентября (вторник) — история, биология, физика, география;

15 сентября (пятница) — обществознание, химия, информатика и информационно-коммуникационные технологии (ИКТ), литература, иностранные языки (английский, французский, немецкий, испанский).

Минимальный балл для получения аттестата по любому из предметов — 15. Рекомендуемый минимальный балл для отбора учащихся в профильные классы средней школы — 26. Для поступления в учреждения среднего специального образования по каждому предмету установлено отдельное количество баллов. Кроме того, критерии указываются на сайте каждого конкретного учебного учреждения. В отдельных случаях может потребоваться сдача дополнительного внутреннего экзамена.

В случае если школьнику не удалось без уважительной причины сдать один из экзаменов, он может пересдать их на следующий год.

Когда и как узнать результаты ОГЭ 2023

В течение 10 дней после сдачи экзамена становятся известны результаты. Их сообщают в учебном учреждении, а также через официальный сайт экзамена.

Для просмотра результатов необходимо ввести регион, в котором сдавался экзамен, и перейти на региональный сайт. Далее потребуются ФИО, серия и номер паспорта ученика.

Выпускник девятого класса имеет право оспорить результаты экзамена, если уверен, что при проверке была допущена ошибка. Он может подать апелляцию в течение двух рабочих дней после публикации результатов.

Основанием для апелляции не является ошибка, допущенная учеником в оформлении экзаменационных материалов. Не примут апелляцию и в том случае, если у учащегося есть вопросы к структуре и содержанию экзамена. Не подлежат оспариванию задания с кратким ответом.